Háromdimenziós tranzisztort készít az Intel

Az eddigi lapos tranzisztorok korlátait, így növekvő áramfogyasztást és hőtermelést is kiküszöbölik az újonnan kifejlesztett 3D-s modellek - állítja az Intel.

Az Intel kutatói elkészítettek egy háromdimenziós, "háromkapus" tranzisztort, amely a hagyományos planár- (lapos) tranzisztoroknál nagyobb teljesítményt nyújt, hatékonyabb áramfelhasználás mellett. "Kutatásaink azt mutatják, hogy 30 nanométer alatt a lapos, egykapus planártranzisztorok egyszerűen túl sok áramot fogyasztanak ahhoz, hogy megfeleljenek a jövőbeni teljesítményigényeknek" - állítja Dr. Gerald Marcyk, az Intel alkatrész-kutatólaborjának igazgatója. "A háromkapus felépítés azt jelenti, hogy az Intel ultraminiatűr tranzisztorokat lesz képes gyártani, amelyek nagy teljesítményt nyújtanak alacsony áramfelhasználás mellett, és továbbra is érvényben tartják Moore törvényét." - közölte a kutató.

A tranzisztorok azok a mikroszkopikus, szilícium-alapú kapcsolók, amelyek feldolgozzák a digitális világ egyeseit és nulláit; ezek a félvezető lapkák alapvető építőelemei. A hagyományos planártranzisztorokban az elektronikus jelek úgy haladnak, mint egy lapos, egyirányú úton. Ez a megközelítés jól szolgálta a félvezetőipart az 1960-as évek óta. Most azonban, ahogy a tranzisztorok mérete lassan 30 nanométer alá csökken, az egyre növekvő áramveszteség azt jelenti, hogy egyre nagyobb fogyasztásúak a tranzisztorok - ez viszont elfogadhatatlan mértékű hőtermelést eredményez.