A chipgyártó közleménye szerint a módosítás óriási eredményt jelent az iparág számára abban a versenyben, amely a tranzisztorok elektromos áramszivárgásának csökkentéséért folyik - ez ugyanis egyre növekvő problémát jelent a lapkagyártók számára, ahogy egyre több és több tranzisztort zsúfolnak egyetlen kis szilíciumlapra.
Az Intel kutatói rekordteljesítményű tranzisztorokat készítettek egy "high-k" ("magas k") nevű új anyagot használva kapudielektrikumként és új fémeket a tranzisztorok kapuihoz. A tranzisztorok mikroszkopikus méretű, szilícium-alapú, a digitális világ egyeseit és nulláit feldolgozó kapcsolók. A kapu kapcsolja a tranzisztort be vagy ki, a kapudielektrikum pedig egy alatta található szigetelőréteg, amely az elektromos áram haladását vezérli. Az új kapu- és kapudielektrikum-anyag együttese drasztikusan csökkenti az áramszivárgást, aminek eredményképpen kisebb teljesítményű akkumulátorok is elegendők és csökken a nem kívánatos hőtermelés. Az Intel állítása szerint az új "high-k" anyag az elmúlt három évtizedben használt szilícium-dioxidhoz képest kevesebb mint századrészére csökkenti a szivárgást.
Az iparágban sok éve folyik a kutatás új tranzisztorkapu-anyagok után, de a műszaki nehézségek meggátolták a gyakorlati felhasználást. - "Ez az első meggyőző demonstrációja annak, hogy az új kapuanyagokkal jobb tranzisztorteljesítmény érhető el, és legyőzhetők a szilíciumdioxid használatából fakadó alapvető korlátok, amelyek több mint három évtizedig gúzsba kötötték az iparágat" - mondta Sunlin Chou, az Intel technológiai és gyártási csoportjának vezérigazgatója. "Az Intel ezeket az új eredményeket - egyéb újításokkal, például a feszített szilíciumos és a háromkapus tranzisztorokkal együtt - a tranzisztorok méretezési határainak és Moore törvényének kiterjesztésére fogja használni." - közölte Chou.
Moore törvénye szerint az egy lapkán elhelyezett tranzisztorok száma durván kétévente megduplázódik; ennek eredménye több funkció, jobb teljesítmény és alacsonyabb egy tranzisztorra eső költség. Hogy ez az innovációs tempó tartható legyen, a tranzisztoroknak egyre kisebb méretűre kell zsugorodniuk. Az újfajta anyagokkal készülő tranzisztorok választási lehetőséget kínálnak majd; a cél az, hogy a jövőbeli Intel-processzorokban már 2007-ben megjelenjenek, a vállalat 45 nanométeres gyártási folyamatának részeként.