A legújabb fejlesztésű tranzisztor 57 gigahertzcel gyorsabb a korábbi világrekorder tranzisztornál, amelyet szintén az egyetem munkatársai fejlesztettek ki, s mutattak be még májusban. A hagyományos tranzisztorokkal szemben - melyeket szilíciumból és germániumból készítenek - az 509 gigahertzes tranzisztor előállításához indium-foszfidet és gallium-arzenidet használtak fel, mely anyag a félvezetők területén a szilícium legnagyobb vetélytársának tekinthető.
A nagy teljesítményű tranzisztort a kutatók közlése szerint nagysebességű távközlési rendszerekben, szórakoztatóelektronikai eszközökben, számítógépekben és elektronikus harci rendszerekben egyaránt alkalmazni lehet majd. A végső cél egyébként egy terahertzes sebességet biztosító tranzisztor előállítása - közölték a fejlesztők.