65 nanométeren dolgozik az Intel

Nagyobb teljesítményű és alacsonyabb energiafelhasználású tranzisztorok gyártását lehetővé tevő eljárással kísérletezik az Intel - közölte a vállalat.

Az Intel teljes funkcionalitású SRAM (Static Random Access Memory) memórialapkákat készített 65 nanométeres technológia - a legújabb generációs félvezető-gyártási eljárás - használatával. Az új 65 nanométeres (a nanométer a méter ezermilliomod része) eljárás nagyobb teljesítményű és alacsonyabb energiafelhasználású tranzisztorokat gyártását, ezen kívül hogy a gyártó megkétszerezze az egyetlen lapkán elhelyezhető tranzisztorok számát - áll az Intel közleményében. - Jó úton haladunk abba az irányba, hogy meghosszabbítsuk 15 éves termelési rekordunkat, azáltal hogy minden két évben kidolgozunk egy új gyártási eljárást. Mindössze 20 hónap telt el, mióta közzétettük a 90 nanométeres technológiával készült teljes funkcionalitású SRAM-okat, amelyek gyártása most van felfutóban - mondta Dr. Sunlin Chou, az Intel műszaki és gyártási részlegének rangidős alelnöke és vezérigazgatója.

A 65 nanométeres félvezetőket az vállalat 300 mm-es (D1D nevű) fejlesztőüzemében állították elő az oregoni Hillsboróban, ahol az eljárást kifejlesztették.