Jelenleg egy olcsóbb okostelefonban legfeljebb 4 gigabájt memória van, de a csúcsmodelleken is tipikusan 16-32 gigabájtnyi adatot lehet raktározni. Egy új technológia azonban lehetővé teszi, hogy egy bélyegnagyságú flashmemória-modulon akár egy terabájt, vagyis mintegy ezer gigabájtnyi tartalom tárolható. Ez ötvenszer több, mint ami jelenleg a flashmemóriákkal elérhető.
Az ehhez szükséges megoldás gyakorlatilag most is elérhető, ám az amerikai Rice Egyetem kutatói egy olyan adattároló technológiát dolgoztak ki, amely gazdaságosan gyárthatóvá is teszi a nagy kapacitású adattárolókat.
A cég rezisztív RAM (RRAM) megoldása eltérő elven működik az elektronikai eszközökben jelenleg elterjedt flashmemóriáktól, de azokhoz hasonlóan akkor is megőrzi a rajta tárolt adatokat, ha nem kap áramot. Az új adattároló azonos méret mellett sokkal több adatot tud tárolni a jelenleg használatos megoldásoknál.
Míg a texasi egyetem megoldása nanoméretű lyukakat tartalmazó szilícium-oxidot használ, amelyeket valamilyen fémmel (arannyal vagy platinával) tömnek be. Az információk alapjait, a biteket fémek villamos feszültséggel által előidézett alakváltoztatásával lehet tárolni.
Az új megoldás a nagy kapacitású adattárolókat a korábbi hasonló megoldásoknál egyszerűbben, így olcsóbban lehet gyártani, azok előállításához ugyanis magas feszültség vagy magas hőmérséklet alkalmazására volt szükség.